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聚焦離子束切割儀 (FIB)

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聚焦離子束(FIB

聚焦離子束(FIB)儀器用細(xì)微聚焦離子束對(duì)樣品進(jìn)行加工,主要用于制備非常精準(zhǔn)的樣品橫截面以用于隨后的SEM、STEMTEM成像或執(zhí)行電路改裝等目的。另外,FIB能被用于試樣的直接成像和探測(cè)發(fā)射電子。FIB的對(duì)比機(jī)制不同于SEMSTEM, 因此對(duì)一些特定的例子,FIB能提供唯一的信息。雙束FIB/SEM技術(shù)整合這兩種技術(shù)為一種分析工具,因此可用于試樣制備和SEM成像而不用處理試樣。

樣品制備

作為一種試樣的制備工具,FIB能夠準(zhǔn)確制備很難制備的橫斷面試樣,諸如:

  • FIB已經(jīng)革新了TEM樣品制備功能,使它能夠識(shí)別亞微米特征并精確的制備橫截面。
  • FIB制備的截面被廣泛應(yīng)用于SEM中, FIB制備,SEM成像、成份分析都可以在這一多技術(shù)支持工具上進(jìn)行。
  • FIB制備的樣品也被用于在俄歇電子光譜儀低于表面的元素快速而精確的識(shí)別。
  • 它是檢查具有小面積、不易接觸特征產(chǎn)品的理想工具,如在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)用來做次表面顆粒識(shí)別。
  • 對(duì)于難以制備截面的產(chǎn)品比如難以拋光質(zhì)軟的聚合物,它是一個(gè)很好的工具。

技術(shù)參數(shù)

信號(hào)檢測(cè) 電子

深度辨析率5 15 Ǻ (二次電子), <2μm (背向散射電子)

橫向辨率/束斑尺寸大于等于7nm

主要應(yīng)用

  • SEM, STEMTEM 樣品準(zhǔn)備
  • 具有小面積、不易接近特征樣品的高辨率截面成像
  • 探頭墊片形成
  • 芯片電路修改

相關(guān)行業(yè)應(yīng)用

  • 生物醫(yī)學(xué)/生物技術(shù)
  • 數(shù)據(jù)存儲(chǔ)
  • 光學(xué)
  • 導(dǎo)體
  • 電信

分析的優(yōu)勢(shì)

  • 分析截面上小目標(biāo)的最好方法
  • 快速,高辨析率成像
  • 良好晶粒對(duì)比成像
  • 支持許多種工具的多功能平臺(tái)

分析的局限性

  • 要求真空兼容性
  • 成像可能會(huì)影響隨后的分析
  • 殘留在分析表面的Ga
  • 離子束損傷可能影響成像分辨率
  • 橫截面面積小
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