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透射電子顯微鏡 (TEM)和掃描透射電子顯微鏡 (STEM)

透射電鏡(TEM)和掃描透射電鏡(STEM)都是使用電子束使樣品成像的相關(guān)技術(shù)。使用高能電子作用于超薄樣品，可以使圖像分辨率達(dá)1-2埃的數(shù)量級(jí)。與SEM相比，TEM具有更好的空間分辨率，更適用于若干分析測量。但需要更多的樣品準(zhǔn)備時(shí)間。

雖然比大多數(shù)其他常見分析工具更費(fèi)時(shí)， 但是這些實(shí)驗(yàn)的寶貴信息是令人贊嘆的。 你不僅可以取得優(yōu)異圖像分辨率、結(jié)晶狀態(tài)、晶向(都以衍射實(shí)驗(yàn)?zāi)Ｊ?/SPAN>)、元素圖(使用EDS)、突出元素對比度的圖象 (暗場模式)-所有這些都來自可精確定位的納米尺寸大小的面積。STEM和TEM可以作為薄膜及IC樣品的最終失效分析工具。

S/TEM技術(shù)性能

信號(hào)檢測
透射電子、散射電子、X射線

元素檢測
B-U (EDS)

檢測限制
~1 nm尺寸的顆粒、另外1%

深度分辨率
樣品必須減薄后分析，減薄至30-1000nm ,取決于應(yīng)用范圍及工具

成像/繪圖
是  (EDS)

最終的橫向分辨率
小于0.2 nm

S/TEM的理想用途

• 識(shí)別集成電路上的納米尺寸缺陷 ，包括嵌入的顆粒和通道上的殘留物
• 晶體結(jié)構(gòu)測定
• 納米顆粒表征：核/殼研究、團(tuán)聚、退火效果
• 催化劑支持范圍
• 超小的分析面積
• III-V超晶格表征

相關(guān)工業(yè)應(yīng)用 S/TEM

• 化合物半導(dǎo)體
• 集成電路
• 磁介質(zhì)
• 納米材料
• 微機(jī)電系統(tǒng)
• 光電設(shè)備
• 半導(dǎo)體

S/TEM優(yōu)點(diǎn)

• 任何其他分析技術(shù)無法比擬的圖像分辨率
• 低于 0.5nm的圖像分辨率
• 小面積上的晶體結(jié)構(gòu)信息

S/TEM局限性

• 通常需要較長的樣品制備時(shí)間
• 制備的樣品厚度通常小于100nm
• 某些材料對于高能電子束不穩(wěn)定